感應加熱原理

時間：2011-01-17 11:48:26 來源：作者：

主要原理：
用交流電流流向被卷曲成環(huán)狀的導體（通常為銅管），由此產(chǎn)生磁束，將金屬放置其中，磁束就會貫通金屬體，在與磁束自繳的方向產(chǎn)生渦電流（旋轉(zhuǎn)電流），于是感應電流在渦電流的影響下產(chǎn)生發(fā)熱，用這樣的加熱方式就是感應加熱。
由此，對金屬等被加熱物體，在非接觸的狀態(tài)下就能加熱。
這時窩電流的特性是：在線圈接近的物體上集中，感應加熱表現(xiàn)出在物體的表面上較強里邊較弱的特點，用這樣的原理來對被加熱體的必要的地方集中加熱，達到瞬間加熱的效果，從而提高生產(chǎn)效率和工作量等。
優(yōu)點：
① 可快速加熱。
　　(與其它方法相比，以秒為單位即可加熱到所要求的目標溫度。)
② 可局部加熱。
③ 省能源。
　　(處理時間以外，僅待機電力就可以，很合理)省電。
④ 可在相對穩(wěn)定的溫度下自動運轉(zhuǎn)。
　　(即使無熟練技能，也可安定生產(chǎn)加工。)
⑤ 綠色環(huán)保。
　　(不產(chǎn)生有害物質(zhì)。)
⑥ 被加熱物質(zhì)，有諸條件要求，但只要是金屬就可以加熱。
　　* 所謂的諸條件，主要是加熱頻率數(shù)，高頻輸出。
* 通常大的被加熱物體使用低頻率，小的物體使用高頻率。
* 根據(jù)被加熱物體的質(zhì)量/處理時間，溫度，來決定高頻的輸出。
線圈設計：
高頻加熱的成功于否取決于感應線圈的對加熱體的大小，形狀，間距的有關。感應線圈是要做到均勻加熱、加熱效果好，并且要有強度和準確度。
感應線圈是一般用一圈或數(shù)圈的銅管來做，一般采用水冷的方式對線圈進行冷卻。
簡單形狀的線圈容易設計，但是復雜的線圈設計比較復雜，計算難，一般主要靠經(jīng)驗和熟練來設計。
感應線圈的基本形狀一般如下圖所示。
被加熱體的外面，內(nèi)面，平面加熱的方式，（A）是一般用的最多的形狀，（B）比（A）的效率低，一般主要用于管材里邊加熱，（C）是主要用于被加熱體的表面連續(xù)加熱。

物理特性：

Elementary symbol	Name	Atomic weight	Specific weight	Melting point	Boiling point	Specific heat	Coefficientof heat conduction	Element number
Ag	silver	107.880	10.49	960.80	2210	0.056(0')	1.0(0'C)	47
Al	aluminum	26.97	2.699	660.2	2060	0.223	0.53	13
As	arsenic	74.91	5.73	814	610	0.082	-	33
Au	gold	197.21	9.32	1063.0	2970	0.031	0.71	79
B	boron	10.82	2.3	2300+-300	2550	0.309	-	5
Be	beryllium	9.02	1.848	1277	2770	0.52	0.038	4
Ba	barium	137.36	33.74	704+-20	1640	0.068	-	56
Bi	bismuth	209.0	9.80	271.30	1420	0.034	0.020	83
C	carbon	12.010	2.22	3700+-100	4830	0.165	0.057	6
Ca	calcium	40.8	1.55	850+-20	1440	0.149	0.30	20
Cd	cadmium	112.41	8.65	320.9	765	0.055	0.22	48
Ce	cerium	140.13	6.9	600+-50	1440	0.042	-	58
Co	cobalt	58.94	8.85	1499+-1	2900	0.099	0.165	27
Cr	chromium	52.01	77.19	1875	2500	0.11	0.16	24
Cs	cesium	132.91	1.9	28+2	690	0.052	-	55
Cu	copper	63.54	8.96	1083.0	2600	0.092	0.94	29
Fe	iron	55.85	7.896	1536.0	2740	0.11	0.18	26
Ga	gallium	69.73	5.91	29.87	2070	0.079	-	31
Ge	germanium	72.60	5.36	958+-10	2700	0.073	-	32
Hg	mercury	200.61	13.546	38.36	357	0.033	0.0201	80
In	indium	114.76	7.31	156.4	1450	0.057	0.057	49
Ir	iridium	193.1	22.5	2454+-3	5300	0.031	0.147	7
K	potassium	39.096	0.86	63.7	770	0.177	0.24	19
La	lanthaduim	138.92	6.15	826+-5	1800	0.045	-	57
Li	lithium	6.940	0.535	186+-5	1370	0.79	0.17	3
Mg	hydrogen	24.32	1.74	650+-2	1110	0.25	0.38	12
Mn	manganess	54.93	7.43	1245	2150	0.115	-	25
Mo	molybdenum	95.95	10.22	2610	3700	0.061	0.35	42
Na	sodium	22.997	0.971	92.82	892	0.295	0.32	11
Nb	niobium	92.91	8.57	2468+-10	>3300	0.065(0'C)	-	41
Ni	nickel	58.69	8.902	1453	2730	0.112	0.198	28
Os	osmium	190.2	22.5	2700+-200	5500	0.031	-	76
P	phosphorus	30.98	1.82	441	280	0.017	-	15
Pb	lead	207.21	11.36	327.4258	1740	0.031	0.08	82
Pd	palladium	106.7	12.03	1544	4000	0.058(0'C)	0.17	46
Pt	platinium	195.23	21.45	1769	4410	0.032	0.17	78
Rb	rubidium	85.48	1.53	39+-1	680	0.080	-	37
Rn	radon	102.91	12.44	1966+-3	4500	0.059	0.21	45
Ru	ruthenium	101.7	12.2	2500+-100	4900	0.057(0'C)	-	44
S	sulfer	32.066	2.07	119.0	444.6	0.175	-	16
Sb	antimony	121.76	6.62	630.5	1440	0.049	0.045	51
Se	selenium	78.96	4.81	220+-5	680	0.084	-	34
Si	selicon	28.06	2.33	1430+-20	2300	0.162(0'C)	0.20	14
Sn	tin	118.70	7.298	231.9	2270	0.054	0.16	50
Sr	strontium	87.63	2.6	770+-10	1380	0.176	-	38
Ta	tantalum	180.88	16.654	2996+-50	>4100	0.036(0'C)	0.13	73
Tc	technetium	127.61	6.235	450+-10	1390	0.047	0.014	52
Th	thorium	232.12	11.66	1750	>3000	0.126	-	22
Ti	titanium	47.90	4.507	1688+-10	>3000	0.126	-	22
Tl	thallium	204.39	11.85	300+-3	1460	0.031	0.093	81
U	uranium	238.07	19.07	1132+-5	-	0.028	0.064	92
V	vanadium	50.95	6.1	1900+25	3460	0.120	-	23
W	tungsten	183.92	19.03	3410	5930	0.032	0.48	74
Zn	zinc	65.38	7.133	419.505	906	0.0915	0.27	30
Zr	zirconium	91.22	6.489	6.489	>2900	0.066	-	40